אינטל חשפה את טכנולוגיית Tri-Gate: כל מוצרי ה-22 ננומטר שלה ייוצרו בתהליך החדש – חלקם בפאב-28 בקרית גת

4 מאי, 2011

מדובר בהכרזה החשובה ביותר של אינטל בשנה האחרונה: לאחר 10 שנות פיתוח, היא הצליחה להביא לייצור טכנולוגיה תלת-מימדית המאפשרת לשפר את ביצועי השבבים בטכנולוגיית 22 ננומטר ומטה, ולהפעיל מעבדים במתח של 0.8 וולט בלבד. פרלמוטר: "נתחרה ב-ARM בכל הפרמטרים"

ההכרזה החשובה ביותר של אינטל בשנה האחרונה: לאחר 10 שנות פיתוח, היא הצליחה להביא לייצור טכנולוגיה המאפשרת לשפר את ביצועי השבבים בטכנולוגיית 22 ננומטר ומטה, ולהפעיל מעבדים במתח של 0.8 וולט בלבד

לאחר 10 שנות מחקר ופיתוח, סיימה אינטל את תהליך הפיתוח של טרנזיסטורים תלת-מימדיים, ואת תהליך הייצור הסדרתי של שבבים הבנויים מהטרנזיסטורים החדשים. אתמול בערב חשפה אינטל את הטכנולוגיה החדשה, והודיעה שכל המוצרים שהיא תייצר בטכנולוגיית 22 ננומטר, ייוצרו בתהליך החדש.

Intel Tri-Gate Vs Planarכיום אינטל מכינה חמישה מפעלים למעבר לטכנולוגיה החדשה: ארבעה מפעלים בארצות הברית (אורגון ואריזונה), ומפעל הייצור בקרית גת (פאב 28). תהליך השדרוג צפוי להסתיים בסוף 2011 תחילת 2012. בתוך כך היא מסרה שמעבד Ivy Bridge (סנדי ברידג' שפותח בישראל) יהיה המוצר הראשון שייוצר בטכנולוגיה החדשה.

הדרך ל-14 ננומטר

טכנולוגיית Tri-Gate החדשה, מאפשרת לאינטל להפחית ב-50% את צריכת ההספק של מעבדי מחשבים, להפעיל מערכות מחשב במתח נמוך מאוד של 0.8 וולט בלבד תוך שיפור של 37% בביצועי המעבדים, וופתחת בפניה נתיב מיזעור נוסף. בכוונתה להמשיך בתהליך המיזעור ולייצר את מעבדי הדור הבא שלה בגיאומטריית ייצור של 14 ננומטר בלבד באמצעות טרנזיסטורי Tri-Gate.

סגן נשיא אינטל ומנהל קבוצת הארכיטקטורה, הישראלי דדי פרלמוטר, אמר שטכנולוגיית הייצור החדשה מהווה אחת מאבני הבניין החשובות באסטרגיה של אינטל. לדבריו, היא תאפשר להאיץ את מפת הדרכים של מעבדי Atom (המיוצרים היום בטכנולוגיית 32 ננומטר) כדי שיתפסו מקום מרכזי בשוק. "מעבד Atom יהיה מתחרה של רכיבים מבוססי ARM בכל פרמטר אפשרי", אמר.

מהו טרנזיסטור תלת-מימדי?

Techtime Intel New 3D Transistor
סכימת המבנה של טרנזיסטור Tri-Gate. הפס הצהוב מציין את אזור הצומת

ההבדל העיקרי בין טרנזיסטור דו-מימדי סטנדרטי לבין טרנזיסטור תלת-מימדי מסוג Tri-Gate הוא בשטח הצומת – האזור בו מצויים שני חצאי-מוליכים במגע זה עם זה. כאשר הטרנזיסטור מוליך זרם, מתפתח על הצומת מתח וכאשר הטרנזיסטור מנותק – מתפרק מתח הצומת.

לשטח הכולל של הצומת יש השפעה רבה על כמות הזרם ומאפייני המיתוג של הטרנזיסטור. אחת מהבעיות בתהליכי המיזעור החדשים היא שהם דרשו הקטנת שטח הצומת בטרנזיסטור דו-מימדי סטנדרטי, ולכן יצרו פגיעה במאפייני ההפעלה שלו. היצרנים התמודדו עם הבעיה באמצעות שימוש בחומרים חדשים בתהליך הייצור, אולם התחושה בתעשייה היא שהמעבר לטכנולוגיית 22 ננומטר ומעבר לה, הפך ליקר ולמסובך מדי.

עקומת היענות משופרת

בטכנולוגיית Tri-Gate אינטל מייצרת את הצומת במבנה תלת-מימדי: הוא מצוי בהיקפו של מעין סנפיר זעיר בנוי מחצי-מוליך. על-ידי כך גדל שטח הצומת בשיעור מאוד משמעותי ומאפשר לשפר את מאפייני ההתנהגות של הטרנזיסטור. עקומת המעבר שלו ממצב הפעלה למצב נתק היא חדשה ולינארית יותר, וכתוצאה מכך הוא מגיב מהר יותר, פועל במתח נמוך יותר ומספק זרמי זליגה קטנים יותר (זרמי הזליגה הם אחד מהגורמים המשמעותיים להפסדי אנרגיה בהפעלת שבבים).

אלא שיש בתצורה החדשה יתרונות נוספים: לצד היכולת לבצע מיזעור, ניתן לייצר דורות חדשים המשפרים את ביצועי הטרנזיסטור ללא מיזעור, למשל באמצעות יצירת טרנזיסטורים דו-סנפיריים ותלת-סנפיריים, המספקים שטחי חתך גדולים בהרבה של הצומת.

Techtime Intel Tri-Gate Transistor future development
שדרוג עתידי: טרנזיסטור Tri-Gate במבנה תלת-סנפירי
Share via Whatsapp

פורסם בקטגוריות: חדשות , סמיקונדקטורס